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年产氮化镓单晶衬底及外延5万片:纳维科技项目奠基
2021年02月02日 发布 分类:行业要闻 点击量:285
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1月24日,苏州纳维科技有限公司举行总部大楼奠基仪式,该项目将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

据苏州纳米城消息,该公司实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术,成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业,产品性能国际领先,并先后获得苏州市首届姑苏双创人才、园区首批科技领军人才企业等荣誉。

2英寸自支撑氮化镓晶片(非掺杂)

纳维科技是国内能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业。纳维科技董事长徐科表示,“我们将一如既往、继续深耕细作,努力实践每亩200万元税收的先行先试,打造出国际前三的GaN单晶衬底的研发基地与高端产品生产基地!”

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