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汉EV热卖,比亚迪计划自建碳化硅产线!
2020年12月28日 发布 分类:行业要闻 点击量:441
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据财联社报道,比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示,比亚迪车规级的IGBT已经走到5代,碳化硅MOSFET已经走到3代,第4代正在开发当中。目前在规划自建产线,预计到明年有自己的产线。

碳化硅

其实早在9月中旬,比亚迪半导体产品中心芯片研发总监吴海平就表示,随着产能的逐步攀升,以及比亚迪汉的预购量远远超出公司的预期,碳化硅供不应求(注:汉EV也是国内首款批量搭载SicMOSFET组件的车型。)。在新能源汽车领域,碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片),但特斯拉Model3和比亚迪汉EV车型上已经开始使用SicMOSFET(碳化硅功率场效应晶体管)。本则消息中,比亚迪决定建立自己的碳化硅生产线,可能是因为外购已不能满足需求。

SiC广泛应用于新一代电控单元、逆变器、DC-DC变换器以及车载充电器中,据预测,到2020年,电子半导体市场的全球规模将达到431亿美元,到2024年将超过500亿美元。


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