据财联社报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建产线，预计到明年有自己的产线。

其实早在9月中旬，比亚迪半导体产品中心芯片研发总监吴海平就表示，随着产能的逐步攀升，以及比亚迪汉的预购量远远超出公司的预期，碳化硅供不应求（注：汉EV也是国内首款批量搭载SicMOSFET组件的车型。）。在新能源汽车领域，碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)，但特斯拉Model3和比亚迪汉EV车型上已经开始使用SicMOSFET(碳化硅功率场效应晶体管)。本则消息中，比亚迪决定建立自己的碳化硅生产线，可能是因为外购已不能满足需求。

而SiC广泛应用于新一代电控单元、逆变器、DC-DC变换器以及车载充电器中，据预测，到2020年，电子半导体市场的全球规模将达到431亿美元，到2024年将超过500亿美元。