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IGBT龙头投奔碳化硅模组:斯达半导体2.29亿投建产业化项目
2020年12月21日 发布 分类:行业要闻 点击量:526
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12月17日,斯达半导体股份有限公司公告,拟在嘉兴公司现有厂区内投资建设全碳化硅功率模组产业化项目。项目计划总投资2.29亿元,投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心,项目将按照市场需求逐步投入。

据项目可行性分析,2020年下半年,欧洲新能源汽车市场呈现爆发式增长,中国新能源汽车月产销量屡创新高,各国纷纷加强战略谋划、强化政策驱动,加速发展新能源汽车。可以预见汽车级碳化硅功率模组的市场需求将在新能源汽车市场带动下的实现快速增长,市场空间巨大。

碳化硅

丰田电动车驱动模块采用碳化硅与硅基元件对比

(左:碳化硅  右:硅基IGBT)

据介绍,碳化硅器件在驱动电容电阻领域的生产工艺和技术已经日趋成熟,被认为是可以代替IGBT,但是成本较贵;从功率模组封装工艺上来说,碳化硅模块的封装工艺要求比IGBT模块要求更高,本次项目建设期为24个月。

关于斯达半导体

一直致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计和工艺及IGBT模块的设计、制造和测试,公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。2020年2月4日,斯达半导(603290)在上交所主板成功上市。

2020年6月,宇通客车宣布,其新能源技术团队正在采用斯达半导体和CREE合作开发的1200V SiC功率模块,开发业界领先的高效率电机控制系统,各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应用。

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