作为第三代宽带隙半导体材料，碳化硅（SiC）具有较宽的带隙、高导热系数、低介电常数、优异抗辐射能力等有利的材料特性，因此与硅（Si）半导体相比，其工作损耗小，可实现耐热温度高的半导体器件，在电力控制用功率器件材料、高耐压的高频器件材料、在高温环境下使用的耐环境器件材料、耐辐射线器件材料等方面有巨大的应用潜力。

但无论在哪一种应用，都需要高品质的碳化硅单晶。虽然大多数的半导体单晶都可以从熔融状态或溶液中生长出来，但碳化硅本身的特性导致其生长条件极为苛刻（压力达105 atm，温度达3200 ℃才熔融），用这俩方法都难以生长出单晶，目前生长碳化硅晶体的方法主要有物理气相传输法、高温化学气相沉积法、液相法等。不过由于客观上存在的难度，使碳化硅晶片技术仍存在较多困难，特别是大尺寸碳化硅单晶生长、加工技术急需提高。

但无论如何，在当前节能减排的国际形势下，只有快速、稳定地突破衬底尺寸和质量等关键问题，才能够更好地推广碳化硅半导体的应用并降低碳化硅器件的制作成本，为电力电子带来重要的技术革新。如果您对这方面感兴趣的话，欢迎来到“2021全国高纯粉体与晶体材料创新发展论坛”上，听一听来自天津理工大学功能晶体研究院的徐永宽副院长为我们分享的题为《关于碳化硅单晶制备技术及产业发展的几点拙见》的报告。

据徐老师透露，届时他将会对碳化硅单晶材料的应用领域和市场前景、碳化硅单晶材料制备工艺路线、国内外现状等进行简述，并针对碳化硅单晶材料产业发展提出自己的见解，对相关产业链中原材料、单晶设备、晶体工艺、加工工艺路线的存在优化空间和投资价值的点进行具体的介绍。含金量可谓是相当高了，错过可就太可惜了！

关于报告人

徐永宽，天津理工大学功能晶体研究院副院。1998年本科毕业于川联合大学材料科学系，2009年在天津大学电子与通信工程专业获得工程硕士学位。1998-2019年在中国电子科技集团公司第四十六研究所从事光电晶体及半导体材料制备工艺研究。2010年起先后任中国电科第四十六所研发部副主任、主任，中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室副主任，特聘研究员。天津市“131”创新型人才第一层次人选。2019年调职入天津理工大学功能晶体研究院。目前为中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会理事。

主要研究领域为II-VI族、III-V族及宽禁带半导体单晶材料生长工艺研究、单晶材料加工技术研究，同时在单晶生长设备设计制造方面有丰富经验。熟悉PVT、HVPE、VB、VGF、Cz、LEC、导模、溶液降温等多种单晶生长工艺。曾先后主持科研项目10项，作为主要成员参与科研项目20多项。发明及参与发明专利及实用新型专利申请上百项，其中授权62项，待审核21项。

粉体圈会务组