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西安电子科技大学第三代半导体创新转化项目落户常州武进
2020年09月09日 发布 分类:行业要闻 点击量:228
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9月1日,武进国家高新区与西安电子科技大学签署协议,双方将在武进高新区联合建设长三角化合物半导体创新基地。根据协议,双方将共建宽禁带半导体国家工程中心常州分中心,西安电子科技大学将为常州分中心提供技术支持,并协助本地高校一起,联合培养微电子技术专业人才,为常州分中心建设发展提供人才支持。

武进新闻网

图片来源:武进新闻网

中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院教授郝跃表示,化合物半导体已成为集成电路产业新的驱动与方向,常州立足长三角布局化合物半导体产业链,为区域化合物半导体产业发展提供了支点。此次与武进高新区合作,将争取更多的科技成果在常州地区转化,做强做大集成电路产业。

备注:

郝跃教授长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

郝跃教授带领的宽禁带半导体技术科研团队,依托宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,开展宽禁带半导体材料与器件的应用基础研究,实验室已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地,是西安电子科技大学微电子学与固体电子学国家重点学科、“211工程”重点建设学科和国家集成电路人才培养基地的重要支撑。

粉体圈 整理


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