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中电科二所:实现5N+碳化硅(SIC)半导体粉料自主生产
2019年06月12日 发布 分类:行业要闻 点击量:250
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据报道,中国电子科技集团公司第二研究所(中电科二所)实现了5N以上高纯度的碳化硅单晶粉料量产。结合其自身碳化硅单晶生长炉的生产能力,实现了第三代碳化硅(SIC)半导体从设备到原料的完全自主生产。

高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料,单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备,要想生长出高质量的SiC单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。

据悉,单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求,目前国内只有两家能生产单晶生长炉,中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计,实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。

注:

中国电科二所从2007年开始从事SiC单晶装备研究,在国家相关部委的支持下,通过艰苦攻关,立足自主研发与技术引进相结合,历时10余年,全面掌握了SiC单晶炉研制、高纯粉料制备及SiC单晶生长等多项关键技术。

参考来源:科技日报


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