5月7日，美国科锐（Cree）宣布了一项公司迄今为止最大的投资项目——将在5年内投资10亿美元用于扩大碳化硅晶圆产能。该项目包括在美国总部的达勒姆市建造一个自动化的200mm碳化硅晶圆（即8英寸晶圆）工厂（投资4.5亿美元）和一个材料超级工厂（投资4.5亿美元），其余1亿美元用于伴随业务增长所需要的其他投入。

回顾2016年7月，那时科锐宣布了将核心业务为半导体的wolfspeed部门出售给英飞凌（Infineon）的决定，但因为美国海外投资委员会（CFUIS）阻挠而终止。然而这并不能阻止两家公司半导体业务的合并，到了2018年3月，科锐反过来收购了英飞凌的射频半导体部门。用科锐CEO的话来解释，这可以强化公司的碳化硅衬底氮化镓（GaN-on-SiC）技术领先地位，而且预期将有利于5G网络转型。而在收购事件的前几天，英飞凌和科锐刚刚签署了一份战略协议，科锐将向英飞凌长期供应150mm碳化硅晶圆（即6英寸晶圆）。

总结就是：科锐以晶圆供应为条件，就可以收购竞争对手英飞凌的业务；与之对应的，英飞凌为了获得功率半导体所必须的原材料，可以干脆卖掉自己的原材料业务，干脆将精力转移到终端器件的开发上。

通过上述事件的回顾，很容易理解碳化硅晶圆（6英寸或以上）到底有多重要。

β-SiC晶体结构示意图

据粉体圈了解，制备碳化硅晶圆要求高纯碳化硅原材料，包括对硼、氮等元素极为敏感；其次，需要立方碳化硅（即β-SiC）以获得优良的热导率和低膨胀系数等；并且对碳化硅颗粒粒径有一定要求（需要粒径0.1-1mm的大颗粒而不是小颗粒团聚粉），等等。

诸多限制就造成了目前碳化硅晶圆制备门槛极高的现状，这也是科锐碳化硅晶圆占据全球1/3以上市场的根本原因，在此次10亿美元投入项目建成后，科锐将大大提高其碳化硅材料和晶圆制造能力，并将在先期150mm晶圆生产基础上实现200mm晶圆的量产。

粉体圈 整理