硝酸铈铵本质：Ce⁴⁺强氧化性酸性蚀刻液，不是普通 PCB 氯化铜 / 三氯化铁；主打微米级精细薄膜电路，不是传统厚铜 FR‑4 大板量产蚀刻。 适合：铬电路、薄铜电极、银、镍薄膜线路、光掩模铬电路、MEMS、触控薄膜电路；对光刻胶、玻璃、SiO₂、石英、陶瓷、PI 基材兼容性极好。

两套电路蚀刻实用配方(超纯水配制，0.2um循环过滤)

配方A|铬薄膜电路(光掩模、显示掩膜，低侧蚀)

硝酸铈铵(电子级≥99.5%):160-200g/L

70%高氯酸:100-120mL/L

余量超纯水

工艺:25-30°C;蚀刻速率60-110nm/min;侧蚀<0.1um;适合0.5-5um精细铬线路图形

配方B|薄铜/银电极电路(MEMS、触控薄膜)

硝酸铈铵:80-120g/L

68%浓硝酸:40-60mL/L

超纯水补至1L

温度28-35°C;铜蚀刻速率1-3um/min;适合≤2um薄铜膜图形化

实验室简易:CAN100g+浓硝酸50mL+水1L，室温浸泡蚀刻。

完整电路图形工艺流程(光刻-CAN蚀刻)

1.基板磁控溅射/蒸镀金属膜(Cr/Cu/Ag)

2.涂光刻胶一曝光一显影，开窗露出要腐蚀掉的电路区域;保留区域被光刻胶保护

3.显影后充分纯水漂洗，显影液残留会产生斑点、断线

4.硝酸铈铵CAN蚀刻槽恒温，工件轻微摆动/鼓泡消除气泡;严格时间控制，禁止过蚀(过蚀直接造成线路变细断线)

5.蚀刻完成立刻取出，多级超纯水喷淋漂洗

6.碱液去光刻胶一纯水超声清洗一无尘烘干