1. 光掩模版（铬版）蚀刻

• 对象：石英基板上金属 Cr 遮光层，半导体光刻掩膜版、TFT‑LCD 光罩

• 原理：\(\ce{Cr + 3Ce^{4+} = Cr^{3+} + 3Ce^{3+}}\)

• 优势：只蚀铬，不腐蚀石英、光刻胶、SiO₂；侧蚀小，边缘垂直度≥85°，线宽精度 ±0.1 μm；无氯离子，无氯残留腐蚀风险

• 典型工作液：CAN 10‑20 wt%，高氯酸体系，温度 25‑35 ℃，蚀刻速率 50‑150 nm/min，0.2 μm 精密过滤去除颗粒。

2. TFT‑LCD / OLED 显示面板

1）ITO 导电膜图案化蚀刻氧化溶解 ITO，像素电极图形化；蚀刻均匀，不易产生断线、针孔缺陷。 2）金属栅极 / 源漏层辅助蚀刻 用于 Mo/Al/Nb 多层金属体系，CAN 作为氧化助剂，打破金属表面钝化膜，调控多层金属蚀刻速率匹配，提升面板良率。

3. PCB 高密度精细线路

精细铜线路微蚀；替代三氯化铁体系，无氯离子残留；适合超薄铜箔、细线路板；缺点成本高于传统蚀刻液，多用于高端 PCB 样板 / 小批量制程。

4. 晶圆表面清洗、金属薄膜剥离

去除晶圆表面有机残留、金属浮渣；剥离薄金属氧化层；不损伤硅基底、氮化硅、氧化硅介质层。

硝酸铈铵 CAS:16774-21-3 分子式:CeH4N7O18-