一氧化硅 化学符号：SiO 规格：-300~500目 分 子 量：44.08 熔 点：1700℃ 密 度：2.1g/cm3 折 射 率(波长/nm)：1.8-1.9(550) 1.7(6000) 透明波段/nm：500-8000 相对介电常数:6 损耗因数：0.015-0.02 频 率/kHz：1-103 坩 埚：Ta 蒸发源方式：Ta、Mo 沉积技术：蒸镀 溶 解 于：王水 在10-4Torr蒸发温度：850℃ 薄膜的机械和化学性质：适用电阻蒸发，应用低速率。低压下快速蒸发。 应 用：保护膜，冷光膜，装饰膜
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