工艺与生产适配性

1. 蚀刻均匀性佳：整片 6/8/12 英寸大尺寸掩模版蚀刻速率差异＜3%，整片图形一致性高。

2. 工艺条件温和：常温（25~35℃）作业，无需高温强压，设备负荷低，也不会导致光刻胶形变、脱落。

3. 速率可控：蚀刻速度 50~150nm/min 可调，易通过时间、浓度精准管控膜层去除厚度。

4. 胶层兼容性好：正胶、负胶均可匹配，不溶胀、不破坏光刻胶图形。

图形精度优势（核心亮点）

1. 侧蚀极低：侧蚀量可控制在 50nm 以内，线条边缘垂直锐利，无钻蚀、毛刺，满足微米 / 亚微米级精细图形要求。

2. 尺寸精度稳定：图形偏差≤0.1μm，适配半导体、高端显示的高精度光刻掩模制程。

二、选择蚀刻性能

1. 选择性极强：仅腐蚀铬膜及铬合金层，不损伤石英 / 玻璃基板、光刻胶、抗反射层，基板可反复返工使用。

2. 不腐蚀周边介质膜、镀层，不会造成掩模基材变形、表面发雾。