在液晶显示器生产中用作抛光剂和腐刻剂，医药行业用作催化剂，也用于合成车用三元催化剂

一、作为抛光剂（CMP 前驱体）

1. 作用原理

• 高温分解（≈200℃）生成纳米 CeO₂磨料（莫氏硬度 6.5）。

• 化学 + 机械协同：Ce⁴⁺氧化表面软化→纳米颗粒机械去除→原子级平整（Ra≤0.1 nm）。

2. 典型应用

• 显示玻璃：LCD/OLED 基板、盖板抛光，效率比 Al₂O₃高 20%+，无划痕雾缺陷。

• 半导体晶圆：SiC/GaN 衬底、芯片铜互连 CMP，去除速率 1500–2000 Å/min，平整度 GBIR≤50 nm。

• 光学元件：镜头、棱镜超精密抛光。

二、作为蚀刻剂（湿法腐蚀）

1. 作用原理（酸性条件）

• 强氧化性 Ce⁴⁺→氧化金属→可溶性离子，自身还原为 Ce³⁺。

• 铬蚀刻：3 (NH₄)₂Ce (NO₃)₆ + Cr → Cr (NO₃)₃ + 3 (NH₄)₂Ce (NO₃)₅。

• 铜蚀刻：Cu + 2 (NH₄)₂Ce (NO₃)₆ → Cu (NO₃)₂ + 2 (NH₄)₂Ce (NO₃)₅。

2. 典型应用

• 光掩模铬层：高精度蚀刻（线宽 ±0.1 μm），边缘垂直、无侧蚀。

• ITO 电极：LCD/OLED 像素图案化，蚀刻均匀、良率高。

• PCB 铜箔：细线宽、高密度线路加工，选择性好、不伤基板。

• 半导体金属电极：银、钯等图案化，微米 / 纳米级精细加工。

三、工艺配方要点

1. 抛光液（前驱体）

• 高纯 CAN（≥4N）→热解 / 水热→单分散 CeO₂纳米颗粒。

• 浓度：0.4–0.5 wt%（石墨 CMP 最优）。

2. 蚀刻液（铬 / ITO）

• 基础配方：10–20% CAN + 1–5% 硝酸 + 表面活性剂 + 水。

• 铬蚀刻优选：CAN + 高氯酸体系，稳定性强、速率可控。

四、核心优势

• 抛光：原子级平整、效率高、缺陷少。

• 蚀刻：选择性强、精度高、边缘垂直、废液可回收（Ce³⁺再生 Ce⁴⁺）。

• 兼容性：适配光刻胶，适合半导体 / 显示量产。

五、安全与储存

• 强氧化剂，远离有机物、还原剂；酸性腐蚀，操作需防护。

• 潮解性，密封阴凉干燥保存。