主要用于两类掩膜：
OLED 光刻铬掩模版（Photomask）
用于 OLED 阵列、像素、驱动电路曝光
基板：石英 / 高硼硅玻璃
膜层：100–150 nm 金属铬（Cr）遮光层
要求：亚微米级、低侧蚀、边缘陡直、无针孔
OLED 触控屏 / 基板铬线路蚀刻
触控电极、屏蔽层、金属走线图形化
同样用 CAN + 强酸 体系蚀刻铬膜
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