主要用于两类掩膜：

1. OLED 光刻铬掩模版（Photomask）

• 用于 OLED 阵列、像素、驱动电路曝光

• 基板：石英 / 高硼硅玻璃

• 膜层：100–150 nm 金属铬（Cr）遮光层

• 要求：亚微米级、低侧蚀、边缘陡直、无针孔

2. OLED 触控屏 / 基板铬线路蚀刻

• 触控电极、屏蔽层、金属走线图形化

• 同样用 CAN + 强酸 体系蚀刻铬膜

注意：OLED 蒸镀用的金属精细掩膜（FMM，Invar 合金）不用 CAN，FMM 是铁镍合金蚀刻，和铬掩膜是两条线。

二、OLED 铬掩膜为什么必须用硝酸铈铵？

OLED 对掩膜要求极严：不能伤玻璃、不能伤光刻胶、线条要直、不能有侧蚀、不能有杂质污染。

1. 核心原理（和前面一致，OLED 重点强调选择性）

• 药液：硝酸铈铵（CAN）+ 高氯酸 + 超纯水

• 活性物种：Ce⁴⁺（强氧化剂，橙红色）

• 蚀刻反应：\(2\ce{Ce^4+} + \ce{Cr} \rightarrow 2\ce{Ce^3+} + \ce{Cr^3+}\)

• 结果：固态铬 → 可溶性 Cr³⁺ 溶解

2. OLED 最看重的 4 点（CAN 完美匹配）

1. 只蚀铬，不蚀玻璃 / 石英石英、玻璃在 CAN 体系中完全不腐蚀，掩膜基板不变形、不发雾。

2. 对光刻胶友好，不脱胶、不溶胀OLED 用正胶 / 负胶（如 KLT、SU-8）都兼容，低温（25–35℃）、酸性温和，不会把胶咬坏。

3. 侧蚀极小（undercut < 0.1 μm），线条陡直OLED 像素越来越小（Micro OLED、柔性 OLED），线宽要求 0.5–2 μm，CAN 是湿法里侧蚀最小的体系。

4. 纯度高、杂质少，无 Na/K/Cl⁻电子级 CAN（99.5%+），无氯离子、无重金属，不会造成 OLED 屏脏点、色差、漏电。

三、OLED 专用硝酸铈铵蚀刻液 标准配方（1L，量产常用）

• 硝酸铈铵（电子高纯级，99.5%+）：150–200 g（主氧化剂）

• 70% 高氯酸：100–120 mL（稳定 Ce⁴⁺、防水解、提速率）

• 超纯水：补至 1000 mL

• 外观：橙红色透明液体，0.2 μm 过滤

• pH：< 1（强酸性）

可选：加 0.1–0.5% 阳离子表面活性剂，改善润湿性、减少针孔（高端 OLED 常用）

四、OLED 掩膜蚀刻工艺参数（量产线标准）

• 膜厚：130 nm 铬（典型 OLED 掩膜）

• 温度：30℃ ±0.5℃（必须恒温）

• 蚀刻速率：120–160 nm/min

• 蚀刻时间：45–55 秒（130 nm）

• 方式：静态浸泡 + 轻微鼓泡（喷淋也可，但侧蚀略大）

• 后处理：大量超纯水冲净 → 异丙醇脱水 → 无尘烘干

五、和其他蚀刻液对比（OLED 为什么不用别的？）

• 硝酸 / 硝酸铁：侧蚀大、伤光刻胶、有铁杂质 → OLED 禁用

• 高锰酸钾 / 硫酸：强氧化、胶脱落、玻璃发雾 → 禁用

• 盐酸 / 氯化铁：氯离子残留，OLED 漏电、黑点 → 绝对禁用

• CAN + 高氯酸：唯一满足 OLED 高精度、高良率、高稳定性的湿法体系

六、OLED 量产关键注意点

1. 必须电子级 CAN：低钾、钠、铁、重金属，4N–5N 纯度

2. 温度严控 ≤35℃：>35℃ Ce⁴⁺ 分解，药液失效、蚀刻变慢

3. 避光密封保存：Ce⁴⁺ 见光水解，出现浑浊直接报废

4. 补加规则：蚀刻变慢 → 补 CAN；酸度不够 → 补高氯酸

5. 颗粒控制：全程 0.2 μm 过滤，无尘室（Class 1000 及以上）操作