氧化钇（Y₂O₃）是半导体高密度等离子刻蚀（ICP/CCP）腔体的主流防护涂层材料，核心价值是抗卤素等离子腐蚀、低颗粒污染、延长腔体寿命，已在先进制程（7nm 及以下）广泛替代传统氧化铝 / 阳极氧化。

1. 大气等离子喷涂（APS）

• 最常用：Y₂O₃粉末（10–45 μm）等离子焰流（≈10000℃）熔化沉积，厚度 100–300 μm，致密度高、成本适中。

2. 悬浮液等离子喷涂（SPS）

• 纳米 Y₂O₃悬浮液进料，纳米晶涂层（20–50 μm），孔隙率 < 0.5%，耐蚀性最优，先进制程首选。

3. 电子束物理气相沉积（EB‑PVD）

• 超薄（5–20 μm）、高均匀，适合精密小件 / 复杂型面，成本高。