高选择性：铬 / 光刻胶蚀刻比 >100:1，不损伤基板与胶层
低侧蚀高精度：边缘垂直度 >85°，线宽精度 **±0.1 μm**，最小线宽可达0.3 μm
速率稳定易控：温度 / 浓度微调即可精准控速，适合大规模量产
高纯无残留：半导体级杂质（金属离子 <**1 ppb**），蚀刻后无残留，良率 >99%
环保安全：无氰、无重金属废液，反应温和，易处理
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