基板准备：超净玻璃（石英 / 硼硅）→ 清洗（RCA 标准）→ 烘干
铬膜沉积：磁控溅射 Cr 层（50–200 nm，均匀性 ±2 nm）
光刻胶涂布：旋涂正性光刻胶（厚度1–2 μm）→ 前烘（90℃，30 min）
曝光显影：紫外曝光（i 线 /g 线）→ 显影（2.38% TMAH）→ 坚膜（120℃，30 min）
CAN 蚀刻（核心）：恒温蚀刻（25–35℃，1–4 min）→ 实时终点检测（光学 / 电阻）
去胶：丙酮 / 乙醇浸泡→ 等离子灰化（去除残胶）
清洗检测：超纯水冲洗→ 烘干→ 检测（线宽、边缘粗糙度、缺陷）
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