• 光掩模铬层蚀刻（半导体 / 面板）配方：5%–10% CAN + 1%–3% HNO₃（pH 1–2）效果：蚀刻速率50–200 nm/min，线宽精度 **±0.1 μm**，边缘垂直度 **>85°**，无侧蚀、无钻蚀。

• ITO 电极蚀刻（LCD/OLED）精准图案化，像素边缘清晰，无残留，保障显示分辨率。

• 钛 / 铬金属薄膜蚀刻（精密光学元件）去除多余金属膜，不损伤光学涂层，适用于滤光片、反射镜制造。

3. 工艺要点（精密控制）

• 酸度：pH 1–2（硝酸体系），防止 Ce⁴⁺水解沉淀

• 浓度：5%–10%，浓度↑→速率↑，过高易过腐蚀

• 温度：25–35℃，恒温控制，避免边缘发黑

• 后处理：蚀刻后立即纯水冲洗→稀酸漂洗→超纯水冲洗→烘干，防止返黑与残留。

三、抛光与蚀刻的核心优势（对比传统试剂）

抛光优势

1. 原子级精度：Ra≤0.1 nm，无划痕，远超 Al₂O₃、SiO₂磨料。

2. 高效低损伤：去除速率提升20%–300%，缺陷密度降低 70%。

3. 高纯度无残留：热分解仅产生气体（NH₃、NO₂、H₂O），无杂质污染，适配半导体 / 光学级要求。

蚀刻优势

1. 高选择性：对 Cr、ITO 蚀刻快，不腐蚀光刻胶、SiO₂、玻璃，对金 / 铂基本不蚀。

2. 高精度低侧蚀：边缘垂直，线宽可控至0.1 μm，适合纳米级图形化。

3. 环保易控：无氰、无重金属废液，反应温和，速率稳定易调。