二水硝酸铈铵

抛光优势

1. 原子级精度：Ra≤0.1 nm，无划痕，远超 Al₂O₃、SiO₂磨料。

2. 高效低损伤：去除速率提升20%–300%，缺陷密度降低 70%。

3. 高纯度无残留：热分解仅产生气体（NH₃、NO₂、H₂O），无杂质污染，适配半导体 / 光学级要求。

蚀刻优势

1. 高选择性：对 Cr、ITO 蚀刻快，不腐蚀光刻胶、SiO₂、玻璃，对金 / 铂基本不蚀。

2. 高精度低侧蚀：边缘垂直，线宽可控至0.1 μm，适合纳米级图形化。

3. 环保易控：无氰、无重金属废液，反应温和，速率稳定易调。

CAS编号:16774-21-3 分子式:(NH4)2Ce(NO3)2 分子量:548.23 EINECS编号:240-827-6