专为遮光铬膜(Cr/CrOx) 精密图形化设计的高选择性蚀刻剂,以硝酸铈铵(CAN, (NH₄)₂[Ce (NO₃)₆])为核心,适配光掩模、LCD/TFT、OLED、MEMS 等高端制程,实现低侧蚀、边缘陡直、无残留的精准蚀刻。
光掩模 / 高端面板标准配方:CAN(10–20 wt%)+ 高氯酸(1–3 wt%,稳定体系)+ 去离子水(余量),高氯酸可提升速率稳定性。
LCD/TFT 制程配方:CAN(3–25 wt%)+ 硝酸(≥2.5 mol/L),适配多层铬膜结构,保证正锥形剖面。
OLED 专用配方:CAN(5–30 wt%)+ 硝酸(0.5–10 wt%)+ 阳离子表面活性剂,低温(<50℃)不损伤有机层。
前处理:基板清洗→光刻胶涂布→曝光显影,形成保护图形。
蚀刻操作:
方式:喷淋蚀刻(推荐)或浸泡蚀刻。
条件:稳定温度(25–35℃)、持续搅拌(避免速率不均)。
时间:15–60 秒(依膜厚调整,Cr 膜厚 100–150 nm 时约 1–3 分钟)。
后处理:去离子水快速冲洗→稀酸轻漂→纯水漂洗→烘干,防止返黑。
去胶:使用专用去胶液去除光刻胶,完成图形化。
浓度调控:CAN 浓度每提升 1 wt%,蚀刻速率约提升 5–8%,需根据膜厚调整。
温度敏感:温度每升高 1℃,速率提升约 10–15%,必须配备恒温槽严控温差。
体系禁忌:严禁混入盐酸、NaCl 等含氯物质,避免腐蚀基底及产生有毒氯气;禁止接触有机物 / 还原剂,防止瞬间放热失效。
设备适配:推荐使用 PP、PE、PTFE 材质的蚀刻槽及喷淋系统,避免材质腐蚀。
储存条件:室温密封保存,远离强碱、还原剂、易燃物,保质期 1 年。
操作规范:必须在通风橱内进行,佩戴耐酸手套、护目镜、防护服,避免皮肤 / 眼部接触。
废液处理:含铈 / 铬废液需按危废标准收集,采用中和沉淀法处理后达标排放,严禁直排。