化学机械抛光（CMP）：作为核心原料制备纳米CeO₂磨料，适配第三代半导体（SiC、GaN）衬底及先进逻辑芯片铜互联结构的抛光需求。该磨料硬度适中（莫氏硬度6.5），可实现原子级表面平整度（Ra≤0.1nm），对碳化硅衬底的去除速率达1500~2000 Å/min，较传统SiO₂磨料提升3倍，且抛光后表面缺陷密度降低70%，显著提升器件良率。例如台积电5nm工艺中，采用5N级硝酸铈铵制备的抛光液，可将晶圆全局平整度（GBIR）控制在50nm以内，满足先进封装要求。

晶圆蚀刻与清洗：作为选择性蚀刻剂，在酸性条件下可精准蚀刻铬、钛等金属层，线宽精度达±0.1μm，适用于光掩模制造中的精细线路图案化；同时可作为清洗液，高效去除晶圆表面的有机污染物与金属杂质，清洗效率达99.9%，保障晶圆后续制程的稳定性。

ITO电极蚀刻：用于液晶显示（LCD）、有机发光二极管（OLED）器件的ITO（氧化铟锡）电极蚀刻，蚀刻速率稳定，边缘垂直度达85°以上，可确保显示像素的清晰度与分辨率。

薄膜晶体管（TFT）制备：作为原料参与TFT栅极绝缘层制备，可提升绝缘层介电常数（达25~30），加快器件开关速度，优化显示响应性能；同时可制备氧化铈抗反射层，使LCD可见光透光率提升5%~8%。