据外媒报道，密歇根大学的一个研究小组开发出了第一种可靠的、可扩展的在石墨烯上生长单层六方氮化硼（hBN）的方法，这一发现被认为可以加速对下一代电子器件和 LED 器件的研究。目前这一研究成果已在《先进材料》杂志上发布。

该研究的通讯作者、密歇根大学电气工程和计算机科学教授Zetian Mi说，石墨烯-hBN结构可帮助LED产生深紫外线，制成的深紫外线发光二极管可让各种设备，如激光器和空气净化器获得更小的尺寸和更高的效率。

已知，hBN是世界上最薄的绝缘体，而石墨烯则是最薄的半金属材料——由于半金属具有高度可塑性的电学性质，因此在计算机和其他电子学中扮演重要角色。若在光滑的单原子厚层中将 hBN 和石墨烯结合在一起，则能释放出许多奇异的性质。

从报道中我们可得知，科学家是利用分子束外延来生产大片的高质量hBN。“在过去，获得研究所需的hBN薄片的唯一方法是从一个更大的氮化硼晶体上物理剥落它们，这是劳动密集型的，只能产生微小的片状物质，”Mi说。“但我们的工艺可以生长出任何尺寸的原子级薄片，可以说开启了许多令人兴奋的研究可能性。”

因为石墨烯和 hBN 非常薄，它们可以用来制造比现在的更小、更节能的电子设备。另外石墨烯的层状结构也可以在量子计算设备中储存信息，比如从导体转换到绝缘体或者支持不寻常的电子自旋。因此除了深紫外LED，石墨烯-hBN结构还有望用于量子计算设备，以及体积更小、效率更高的电子学、光电子学及其他应用设备。

来源：phys.org

粉体圈Coco编译

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