2月23日，国瓷材料总经理张兵在2020年度业绩网上说明会上透露，公司氮化铝陶瓷基板目前已完成中试，将在2021年实现量产。此前国瓷材料高导热陶瓷基板项目公示材料显示，项目建成后可实现年产氧化铝粉体3000t，氮化铝粉体200t，高导热陶瓷基板200万片。

据国瓷材料氮化铝粉发明专利信息显示，其氮化铝粉采用一种高温熔融法制备，以氨气和氮气混合气体通入炉体与铝粉发生反应。该方法具备成本低，氮化铝粉末纯度高，球形度高，粒度分布窄，无结块的优点。

作为芯片承载材料，AlN陶瓷层可有效提高模块的绝缘能力，而且氮化铝陶瓷基板具有良好的导热性，热导率可以达到170-260W/mK。IGBT或SIC模块在运行过程中，在芯片的表面会产生大量的热量，这些热量会通过陶瓷基板传输到模块散热底板上，再通过底板上的导热硅脂传导于散热器上，完成模块的整体散热流动。除此之外，AlN陶瓷还具备热阻系数低、膨胀系数匹配、机械性能优、焊接性能佳的显著特点，采用氮化铝陶瓷基板的IGBT模块具有更好的热疲劳稳定性和更高的集成度。

粉体圈 郜白