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重庆大足高新区:50亿元半导体氮化镓材料项目开工
2018年11月16日 发布 分类:行业要闻 点击量:346
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11月13日,聚力成半导体(重庆)有限公司奠基仪式在重庆市大足高新区举行。该项目占地500亩,拟投资50亿元,将打造集氮化镓外延片制造、晶元制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。

 

 

 

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在诸多领域有广阔的应用前景。

 

聚力成公司在大足建设的基地,是其在中国大陆的第一个生产、研发基地,将有望打破上述局面。该项目建成后,有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈,形成自主制造能力。可为高铁、新能源汽车、5G通讯、雷达、机器人等行业的电力控制系统和通讯系统的核心部件提供大量的氮化镓高功率半导体和高射频半导部件。

 

参考来源:重庆日报


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