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中科院李江涛研究员:燃烧合成SiC及“陶瓷/石墨烯”复合粉体材料
2018年09月06日 发布 分类:行业要闻 点击量:3619
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在材料界,SiC有着多重身份,其一是众望所归的第三代半导体材料,其二是特种陶瓷领域的常驻干将。它们应用上大相径庭,所使用的原料自然也截然不同:SiC半导体单晶生长所需的原料是高纯超粗SiC粉体;而特种陶瓷的制备,为达到更高的使用要求,当数纳米SiC粉体最受欢迎。

 

 

 

除此之外,SiC粉体与“材料之王”石墨烯的强强联合近年来也引起了业界的关注。经研究,这种陶瓷/石墨烯复合粉体在力学、光学、电学等方面表现十分突出,可以预期其有望发展成为一种结构功能一体化的新材料。

 

结构决定性能,因此粉体的制备方法成为高性能碳化硅材料获取的关键。SiC粉体的制备方法中燃烧合成也称自蔓延高温合成是一种较为理想的陶瓷粉体制备方法,它具有节能、高效、低成本等优点,已被广泛用于制备多种陶瓷粉体。

 

对于不同领域应用的SiC粉体,如半导体原料或是特陶制备原料,甚至是“陶瓷/石墨烯复合粉体即使均可利用燃烧合成原理制备,但在制备过程中各自的“独门秘诀”才是决定它们粉体性能及成本的关键因素。但这些独门秘诀,轻易无法见到,尤其是石墨烯陶瓷复合材料,因为工艺复杂困难,所以有关研究较少。

 

左:(上海硅酸盐所)直径100mm碳化硅晶体 右:碳化硅陶瓷

 

但是,对上述工艺求知若渴的朋友无须担心,因为在9月15~17日举办“2018年全国碳化物粉体与陶瓷制备技术交流会”上,这些内容您都能看到!此次会议上,粉体圈有幸邀请到燃烧合成系列化陶瓷粉体材料的工程化应用方面,有着国际领先水平的中国科学院理化技术研究所李江涛研究员前来发表报告。

 

在题为燃烧合成SiC及“陶瓷/石墨烯”复合粉体材料报告中,李江涛先生将为我们介绍3类碳化物陶瓷粉体及其燃烧合成技术。一是用作SiC半导体单晶生长原料的高纯超粗SiC粉体;二是氮气催化燃烧合成纳米SiC粉体,该技术的特点是合成过程无能耗,且后处理过程简单、清洁、污染少;三是介绍一种崭新的基于高压CO2气相介质,可用于氧化物及非氧化物陶瓷/石墨烯复合粉体合成的燃烧合成新技术。

 

如今距离会议开始只有不到10天的时间了,若是有对这个报告感兴趣的朋友,要知道机不可失时不再来,赶快抓紧时间赶上报告的末班车吧!查看会议详情或报名可联系客服0756-8633590/13168670536(微信同号)。

 

专家简介

 

 

李江涛, 中国科学院理化技术研究所研究员, 博士生导师, 低温材料与应用超导研究中心副主任、功能陶瓷材料研究组组长;国家自然科学基金委无机非金属学科会评专家;中国科学院大学岗位教授、中钢集团“先进耐火材料国家重点实验室”兼职教授。

 

主要从事先进陶瓷材料的燃烧合成制备新技术研究、红外陶瓷材料的辐射节能与工业应用研究。先后主持了国家自然科学基金重点课题、科技部国际合作重点课题, 负责中科院知识创新方向性项目、重大装备研制等多项课题。在陶瓷材料的燃烧合成制备技术方面发表文章200余篇, 专利20余件, 英文专著一部。曾获中国材料研究学会科学技术二等奖、北京市科技进步三等奖、第八届教育部霍英东青年教师基金及青年教师奖。近年来重点开展了与企业互动的燃烧合成工程应用研发, 技术服务的企业中, 两家已成功上市。目前与辽阳粉末冶金研究所共建的研发中心, 已在中科院理化所廊坊园区成功运转, 双方正致力于红外陶瓷辐射节能产品和辐射冷却新技术研发。

 

研究领域:

1.先进陶瓷材料的燃烧合成理论和新技术研究:

2.陶瓷材料的超重力燃烧合成极端制造新技术。

3.红外辐射陶瓷材料的设计、制备和应用评价(辐射节能、辐射冷却)。

 

粉体圈 作者:小榆

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